Заказать мероприятие
Отправляя данные, я подтверждаю, что ознакомилась/ознакомился с Политикой в отношении обработки персональных данных, принимаю её условия и предоставляю ООО «РИА «Стандарты и качество» Согласие на обработку персональных данных.
Отправляя данные, я подтверждаю, что ознакомилась/ознакомился с Политикой в отношении обработки персональных данных, принимаю её условия и предоставляю ООО «РИА «Стандарты и качество» Согласие на обработку персональных данных.
Отправляя данные, я подтверждаю, что ознакомилась/ознакомился с Политикой в отношении обработки персональных данных, принимаю её условия и предоставляю ООО «РИА «Стандарты и качество» Согласие на обработку персональных данных.
Для приобретения подписки для абонементного доступа к статьям, вам необходимо зарегистрироваться
После регистрации вы получите доступ к личному кабинету
Зарегистрироваться Войти
В статье проведен анализ модификации полупроводников протонными пучками, которая осуществляется путем управляемого введения в полупроводник радиационных дефектов. Показано влияние ускоренных протонов на электрофизические параметры кремния, легированного примесями Ni и Cu.
Ключевые слова: кремний, легирование, ускоренный протон, коэффициент температурной чувствительности, терморезистор, удельное сопротивление.
Авторы:
С.С. Насриддинов, доктор технических наук, заведующий кафедрой «Социально-гуманитарные и общепрофессиональные дисциплины» Астраханского государственного технического университета по Ташкентской области, г. Ташкент;
Я.А. Сайдимов, кандидат физико-математических наук, старший научный сотрудник НИИ физики полупроводников и микроэлектроники Национального университета Узбекистана им. Мирзо Улугбека, г. Ташкент
Мир измерений № 4-2024
Подписка
Всероссийская организация качества
